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力传感器

单芯片力传感器MEMS芯片上4个压敏电阻构成惠斯通电桥结构,当外界有力作用在器件上,器件发生变形,压敏电阻阻值随之发生变化;由于电阻摆放位置的不同,压敏电阻的阻值也相应的有不同的变化,惠斯通电桥产生模拟差分信号输出。
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MEMS力传感器
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单芯片力传感器MEMS芯片上4个压敏电阻构成惠斯通电桥结构,当外界有力作用在器件上,器件发生变形,压敏电阻阻值随之发生变化;由于电阻摆放位置的不同,压敏电阻的阻值也相应的有不同的变化,惠斯通电桥产生模拟差分信号输出。

集成式力传感器在单颗封装体内集成MEMS力传感器芯片及信号处理ASIC芯片,ASIC实现信号放大、ADC转换、信号处理,并且在有按压动作时,在INT脚输出中断信号。集成式力传感器在出厂前每颗器件都经过校准,保证输出一致性;在整机应用时,通过I2C接口配置阈值寄存器,主控可以针对不同机型灵活设置不同的按压阈值,同时也可以实现清零的功能,以消除装配时的预压力。

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亚博vip手机登录型号 尺寸(mm) 灵敏度 输出方式 安装方式 是否需要橡胶垫
MST701 0.8x0.8x0.1 30 mV/N 模拟差分 单面贴装/双面固定 Yes/No
MST705 2.1x1.3x1.1  30 mV/N 模拟差分 双面固定 Yes
MST706 2.1x1.3x1.1  1024 LSB/N 中断+I2C 双面固定 Yes

 

 技术参数:

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit
Supply Voltage VOP 2.9 3.3 3.7 V
Supply Current(2) IOP   500 800 mA
Contact Force FZ     100 N
Offset VOUT,0 -30   30 mV
Sensitivity SENS   30   mV/N
Temperature Coeff. Of Offset TCO   -0.1   %FS/°C
Temperature Coeff. Of Sensitivity TCS   2000   ppm
Response Time TRESP   5   ms
Linearity LIN   5%    
Repeatability REP   5%    
Operating Temperature TOP -20   70 °C

 

关键词:
传感器
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